-
1 crystal density
-
2 crystalline density
-
3 chip density
1) Техника: плотность упаковки на кристалле2) Электроника: плотность упаковки в кристалле ИС3) Полупроводники: плотность кристалла -
4 crystal density
Металлургия: плотность кристалла -
5 packing density
число единиц данных, умещающееся на единице длины или площади поверхности запоминающей среды (storage medium). Измеряется обычно в битах на дюйм (см. bpi) или на квадратный дюйм2) плотность упаковки, плотность монтажасм. тж. densityв микроэлектронике - число полупроводниковых приборов (обычно транзисторов) на единицу площади кристалла микросхемыАнгло-русский толковый словарь терминов и сокращений по ВТ, Интернету и программированию. > packing density
-
6 packaging
1. упаковка2. упаковывающий3. монтаж кристалла в корпусpackaging density — плотность упаковки; плотность монтажа; плотность размещения компонентов
The English-Russian dictionary general scientific > packaging
-
7 gallium
галлий
Ga
Элемент III группы Периодич. системы, ат. н. 31, ат. м. 69,72; серебристо-белый легкий металл. Состоит из двух стабильных изотопов с массовыми числами 69 (60,5 %) и 71 (39,5 %). Существование Ga («экаалюминия») и осн. его св-ва были предсказаны в 1870 г. Д. И. Менделеевым. Элемент был открыт спектральным анализом в пиренейской цинковой обманке и выделен в 1875 г. франц. химиком П. Э. Лекоком де Буабодраном; назван в честь Франции (лат. Gallia). Среднее содержание Ga в земной коре относительно высокое, 1,5 • 10~3 мае. %, что равно содержанию РЬ и Mo. Ga - типичный рассеянный элемент. Единственный минерал Ga -галлит 52 очень редок. Основная часть Ga в литосфере заключена в минералах алюминия. Содержание Ga в бокситах и нефелинах колеблется от 0,002 до 0,01 %.
Ga имеет ромбич. (псевдотетрагон.) решетку с параметрами а = 0,45197 нм, Ь = 0,76601 нм, с = 0,45257 нм. Плотность, г/см3, тв. Ga 5,904 (20 оС), жидкого 6,095 (29,8 оС), т.е. при затвердевании объем увеличивается; / = = 29,8 °С, 1ШЛ = 2230 °С. Удельная теплоемкость, ДжДкг • К), тв. Ga 376, жидкого 410 в интервале 29—100 °С. Уд. электрич. сопротивление, Ом • см, тв. Ga 53,4 • 10"' (20 °С), жидкого 27,2 • 10~6 (30 оС). На воздухе при обычной температуре Ga стоек. Выше 260 оС - в сухом кислороде наблюдается медленное окисление (оксидная пленка защищает металл). В H2SO4 и НСl Ga растворяется медленно, в HF — быстро, в HNOj на холоду Ga устойчив. В горячих р-рах щелочей медленно растворяется. Сl и Вг реагируют с Ga на холоду, I — при нагревании. Расплавленный Ga при / > 300 °С взаимодействует со всеми конструкционными металлами и сплавами.
Из солей Ga наиб. значение имеют GaCl3 (tm= 78 °С, /гап = 200 °С) и Ga2(SO,)r Последний с сульфатами щелочных металлов и аммония образует двойные соли типа квасцов, напр. (NH4)Ga(SO4)2 • 12Н20. Ga образует малорастворимый в воде и к-тах ферроцианид Ga<[Fe(CN)6]3, что используется для его отделения от Аl и ряда элементов.
Осн. источник получения Ga — алюминиевое произ-во. Ga при переработке бокситов по способу Байера концентрируется в оборотных маточных р-рах после выделения Аl(ОН)3. Из таких р-ров Ga выделяют электролизом на Hg-катоде. Из щелочного р-ра, полученного после обработки амальгамы водой, осаждают Ga(OH)5, к-рый р-ряют в щелочи, и выделяют Ga электролизом. При содово-известковом способе переработки бокситовой или нефелиновой руды Ga концентрируется в последних фракциях осадков, выделяемых в процессе карбонизации. Для дополнит. обогащения осадок гидрооксидов обрабатывают известковым молоком. При этом большая часть Аl остается в осадке, a Ga переходит в р-р, из к-рого пропусканием СО2 выделяют галлиевый концентрат (6-8 % Ga2O3); последний растворяют в щелочи и выделяют Ga электролитически. Полученный электролизом щелочного раствора жидкий Ga, промытый водой и кислотами (НСl, HNO3), содержит 99,9-99,95 % Ga. Более чистый металл получают плавкой в вакууме, зонной плавкой или вытягиванием кристалла из расплава.
Широкого промышл. применения Ga пока не имеет. Потенциально возможные масштабы попутного получения Ga в произ-ве Аl до сих пор значительно превосходят спрос на металл. Наиб. перспективно применение Ga в виде хим. соединений типа GaAs, GaP, GaSb, обладающих полупроводниковыми св-вами. Ga можно использовать для изготовл. оптических зеркал, отличающихся высокой отражательной способностью. Жидкий Ga и его сплавы предложено использовать для изготовл. высокотемп-рных термометров (600-1300 °С). Сплав на основе Ga (с In, Sn, Zn или Al), наз. галламой, применяют в кач-ве теплоносителей яд. реакторов, для устр-ва гидравлич. затворов, плавких предохранителей и т.п.
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]Тематики
Синонимы
- Ga
EN
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > gallium
-
8 DSSS
- расширение спектра методом прямой последовательности
- поверхностная акустическая волна
- модуль цифрового сервиса DSSS
модуль цифрового сервиса DSSS
DSSS (Direct Sequence Spread Spectrum) — широкополосная модуляция с прямым расширением спектра. Используется в сетях стандарта IEEE 802.11 для преднамеренного уширения спектра передаваемого импульса.
[ http://www.lexikon.ru/dict/net/index.html]Тематики
EN
расширение спектра методом прямой последовательности
Метод формирования широкополосного сигнала, при котором исходный двоичный сигнал преобразуется в псевдослучайную последовательность для манипуляции несущей. В эфир передается шумоподобный сигнал, обладающий всеми свойствами аддитивного белого шума. Расширение спектра сигнала в n раз с использованием DSSS позволяет уменьшить спектральную плотность мощности сигнала во столько же раз.
[ http://www.morepc.ru/dict/]Тематики
EN
06.04.13 поверхностная акустическая волна [ surface acoustic wave; SAW]: Электроакустический эффект, используемый в системах автоматической идентификации, когда микроволновые радиосигналы малой мощности с помощью пьезоэлектрического кристалла в радиочастотной метке преобразуются в ультразвуковые поверхностные акустические волны.
Примечание - Информация об уникальной идентификации содержится в фазово-временных вариациях отраженного радиочастотной меткой сигнала.
<2>4 Сокращения
ARQ
Автоматический запрос повтора [Automatic Repeat Request]
ASK
Амплитудная манипуляция [Amplitude Shift Keying]
BPSK
Бинарная фазовая манипуляция [Binary Phase Shift Keying]
CDMA
Множественный доступ с кодовым разделением каналов [Code Division Multiple Access]
CSMA
Множественный доступ с анализом состояния канала передачи данных [Carrier Sense Multiple Access]
CSMA/CD
Множественный доступ с анализом состояния канала передачи данных и обнаружением конфликтов [Carrier Sense Multiple Access with Collision Detection]
DBPSK
Дифференциальная бинарная фазовая манипуляция [Differential binary phase shift keying]
DSSS
Широкополосная модуляция с непосредственной передачей псевдослучайной последовательности [Direct sequence spread spectrum modulation]
EIRP (ЭИИМ)
Эквивалентная изотропно-излучаемая мощность [Equivalent Isotropically Radiated Power]
EMI
Электромагнитная помеха [ElectroMagnetic Interference]
ETR
Технический отчет ETSI [European Telecommunications Report]
ETS
Телекоммуникационный стандарт ETSI [European Telecommunications Standard]
ETSI
Европейский институт по стандартизации в области телекоммуникаций [European Telecommunications Standards Institute]
FHSS
Широкополосная модуляция с дискретной перестройкой несущей частоты [Frequency Hopping Spread Spectrum]
FSK
Частотная манипуляция [Frequency Shift Keying]
GHz (ГГц)
Гигагерц [Gigahertz]
GMSK
Минимальная гауссовская манипуляция [Gaussian Minimum Shift Keying]
kHz (кГц)
Килогерц [Kilohertz]
MSK
Минимальнофазовая частотная манипуляция [Minimum shift keying]
MHz (МГц)
Мегагерц [Megahertz]
OBE
Навесное оборудование [On-Board Equipment]
PDM
Модуляция импульса по длительности, широтно-импульсная модуляция [Pulse Duration Modulation]
PM
Фазовая модуляция [Phase modulation]
PPM (ФИМ)
Фазоимпульсная модуляция [Modulation (pulse position)]
PSK
Фазовая манипуляция [Phase Shift Keying]
PWM
Широтно-импульсная модуляция [Pulse Width Modulation]
RF/DC
Обмен данными системы радиочастотной идентификации [Radio frequency data communication]
RFI
Радиопомеха [Radio frequency interference]
RSSI
Индикатор уровня принимаемого сигнала [Receiving Signal Strength Indicator]
S/N
Отношение сигнала к шуму [Signal/noise ratio]
SAW
Поверхностная акустическая волна [Surface Acoustic Wave]
SIN AD
Отношение сигнала к шуму и искажению [Signal to Noise & Distortion]
SRD
Устройство малого радиуса действия [Short Range Device]
TBR
Технические основы регулирования [Technical Basis for Regulation]
TDD
Дуплексная связь с временным разделением каналов [Time Division Duplexing]
TDM
Временное разделение каналов [Time Division Multiplexing]
<2>Библиография
[1]
МЭК 60050-713
(IEC 60050-713)
Международный электротехнический словарь. Часть 713. Радиосвязь: приемники, передатчики, сети и их режим работы
( International Electrotechnical Vocabulary - Part 713: Radiocommunications: transmitters, receivers, networks and operation)
[2]
МЭК 60050-705
(IEC 60050-705)
Международный электротехнический словарь. Глава 705: Распространение радиоволн ( International Electrotechnical Vocabulary - Chapter 705: Radio wave propagation)
[3]
МЭК 60050-702
(IEC 60050-702)
Международный электротехнический словарь. Глава 702: Колебания, сигналы и соответствующие устройства
( International Electrotechnical Vocabulary - Chapter 702: Oscillations, signals and related devices)
[4]
МЭК 60050-121
(IEC 60050-121)
Международный электротехнический словарь. Глава 121: Электромагнетизм ( International Electrotechnical Vocabulary - Part 121: Electromagnetism)
[5]
МЭК 60050-712
(IEC 60050-712)
Международный электротехнический словарь. Глава 712: Антенны ( International Electrotechnical Vocabulary - Chapter 712: Antennas)
[6]
МЭК 60050-221
(IEC 60050-221)
Международный электротехнический словарь. Глава 221: Магнитные материалы и компоненты
( International Electrotechnical Vocabulary - Chapter 221: Magnetic materials and components)
[7]
ИСО/МЭК 2382-9:1995
(ISO/IEC2382-9:1995)
Информационная технология. Словарь. Часть 9. Обмен данными ( Information technology - Vocabulary - Part 9: Data communication)
[8]
МЭК 60050-725
(IEC 60050-725)
Международный электротехнический словарь. Глава 725: Космическая радиосвязь ( International Electrotechnical Vocabulary - Chapter 725: Space radiocommunications)
[9]
МЭК 60050-714
(IEC 60050-714)
Международный электротехнический словарь. Глава 714: Коммутация и сигнализация в электросвязи
( International Electrotechnical Vocabulary - Chapter 714: Switching and signalling in telecommunications)
[10]
МЭК 60050-704
(IEC 60050-704)
Международный Электротехнический словарь. Глава 704. Техника передачи ( International Electrotechnical Vocabulary - Chapter 704: Transmission)
[11]
МЭК 60050-161
(IEC 60050-161)
Международный электротехнический словарь. Глава 161: Электромагнитная совместимость ( International Electrotechnical Vocabulary. Chapter 161: Electromagnetic compatibility)
[12]
ИСО/МЭК 8824-1
(ISO/IEC 8824-1)
Информационные технологии. Абстрактная синтаксическая нотация версии один
(АСН.1). Часть 1. Спецификация основной нотации
(Information technology - Abstract Syntax Notation One (ASN.1): Specification of basic notation)1)
[13]
ИСО/МЭК 9834-1
(ISO/IEC 9834-1)
Информационные технологии. Взаимосвязь открытых систем. Процедуры действий уполномоченных по регистрации ВОС. Часть 1. Общие процедуры и верхние дуги дерева идентификатора объекта АСН.1
( Information technology - Open Systems Interconnection - Procedures for the operation of OSI Registration Authorities: General procedures and top arcs of the ASN. 1 Object Identifier tree)
[14]
ИСО/МЭК 15962]
(ISO/IEC 15962)
Информационные технологии. Радиочастотная идентификация (RFID) для управления предметами. Протокол данных: правила кодирования данных и функции логической памяти
( Information technology - Radio frequency identification ( RFID) for item management - Data protocol: data encoding rules and logical memory functions)
[15]
ИСО/МЭК 19762-1
(ISO/IEC 19762-1)
Информационные технологии. Технологии автоматической идентификации и сбора данных (АИСД). Гармонизированный словарь. Часть 1. Общие термины в области АIDC ( Information technology - Automatic identification and data capture ( AIDC) techniques - Harmonized vocabulary - Part 1: General terms relating to AIDC)
[16]
ИСО/МЭК 19762-2
(ISO/IEC 19762-2)
Информационные технологии. Технологии автоматической идентификации и сбора данных (АИСД). Гармонизированный словарь. Часть 2. Оптические носители данных (ОНД)
( Information technology - Automatic identification and data capture ( AIDC) techniques - Harmonized vocabulary - Part 2: Optically readable media ( ORM))
[17]
ИСО/МЭК 19762-3
(ISO/IEC 19762-3)
Информационные технологии. Технологии автоматической идентификации и сбора данных (АИСД). Гармонизированный словарь. Часть 3. Радиочастотная идентификация (РЧИ)
( Information technology - Automatic identification and data capture ( AIDC) techniques - Harmonized vocabulary - Part 3: Radio frequency identification ( RFID))
[18]
ИСО/МЭК 19762-5
(ISO/IEC 19762-5)
Информационные технологии. Технологии автоматической идентификации и сбора данных (АИСД). Гармонизированный словарь. Часть 5. Системы определения места нахождения
( Information technology - Automatic identification and data capture ( AIDC) techniques - Harmonized vocabulary - Part 5: Locating systems)
[19]
ИСО/МЭК 18000-6
(ISO/IEC 18000-6)
Информационные технологии. Радиочастотная идентификация для управления предметами. Часть 6. Параметры радиоинтерфейса для диапазона частот 860 - 960 МГц ( Information technology - Radio frequency identification for item management - Part 6: Parameters for air interface communications at 860 MHz to 960 MHz)
_____________
1)В оригинале ИСО/МЭК 19762-4 стандарты [12] - [19] включены в раздел «Библиография», однако следует учитывать, что в основном тексте стандарта ссылок на них нет.
<2>
Источник: ГОСТ Р ИСО/МЭК 19762-4-2011: Информационные технологии. Технологии автоматической идентификации и сбора данных (АИСД). Гармонизированный словарь. Часть 4. Общие термины в области радиосвязи оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > DSSS
См. также в других словарях:
Вакансия (дефект кристалла) — Вакансия, дефект по Шотки, дефект кристалла, представляющий собой отсутствие атома или иона в узле кристаллической решётки (рис. 1). В. имеются во всех кристаллах, как бы тщательно эти кристаллы ни выращивались. В реальном кристалле В. возникают… … Большая советская энциклопедия
Дислокации — I Дислокации (геологические) (от позднелат. dislocatio смещение, перемещение), нарушения форм первичного залегания горных пород, вызванные тектоническими движениями земной коры, магматической деятельностью, метаморфизмом, экзогенными… … Большая советская энциклопедия
Дислокации (в кристаллах) — Дислокации в кристаллах, дефекты кристалла, представляющие собой линии, вдоль и вблизи которых нарушено характерное для кристалла правильное расположение атомных плоскостей. Д. и другие дефекты в кристаллах определяют многие физические свойства… … Большая советская энциклопедия
ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ — ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ, нарушения кристаллической структуры, размеры которых во всех трех измерениях сравнимы с одним или несколькими междуатомными расстояниями. Точечный дефект может иметь простую или сложную структуру. Виды точечных дефектов Вакансия … Энциклопедический словарь
КРИСТАЛЛОАКУСТИКА — изучает особенности распространения акустич. волн в кристаллах, а также влияние анизотропии физ. св в кристаллов па хар ки акустич. волн (особенности их поляризации, поглощения и отражения, дифракции и др.). Анизотропия фазовых скоростей… … Физическая энциклопедия
КРИСТАЛЛЫ И КРИСТАЛЛОГРАФИЯ — Кристаллом (от греч. krystallos прозрачный лед ) вначале называли прозрачный кварц (горный хрусталь), встречавшийся в Альпах. Горный хрусталь принимали за лед, затвердевший от холода до такой степени, что он уже не плавится. Первоначально главную … Энциклопедия Кольера
РАССЕЯНИЕ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — в кристаллич. твёрдых телах процесс взаимодействия электрона проводимости (дырки) с нарушениями идеальной периодичности кристалла, сопровождающийся переходом электрона из состояния с импульсом p в состояние с импульсом Рассеяние наз. упругим,… … Физическая энциклопедия
ЭЛЕКТРОКАЛОРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ — изменение темп ры Т кристалла на величину DT при приложении к нему электрич. поля Е. Э. э. является обратным пиро электрич. эффекту и возможен в кристаллах, принадлежащих к 10 точечным группам симметрии, а также в текстуpax, характеризующихся… … Физическая энциклопедия
КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ — образование кристаллов из паров, р ров, расплавов, из в ва в тв. состоянии (аморфном или другом кристаллическом), из электролитов в процессе электролиза (электрокристаллизация), а также при хим. реакциях. Для К. необходимо нарушение термодинамич … Физическая энциклопедия
Графен — Пожалуйста, актуализируйте данные В этой статье данные предоставлены преимущественно за 2007 2008 гг … Википедия
НЕЙТРОНОГРАФИЯ СТРУКТУРНАЯ — исследования атомной структуры конденсир. сред методом дифракции нейтронов низких энергий на атомных ядрах (упругого когерентного рассеяния). В H. с. используются нейтроны с длиной волны де Бройля l >= 0,3 Рассеяние нейтронной волны на… … Физическая энциклопедия
